三星电子4日表示，将封装8片闪存的“多层芯片”厚度降至1毫米以下，这在全世界范围内尚属首次。三星电子研发0.6毫米的8片多层芯片技术，用于32G闪存多层芯片。该多层芯片是厚750微米（0.75毫米）的12英寸晶片背面磨至15微米，并封装该厚度的闪存。

现有的闪存厚度在1毫米左右。如果将新的加工技术用于1毫米厚的闪存，在维持厚度的同时，将容量增加至近两倍，可以制作手机产品。郑泰京（音）常务期待称：“比起大容量多层芯片市场的主力产品，厚度和重量只有一半左右，0.6毫米的8片多层芯片将会在手机市场大受欢迎。”

三星电子有望通过此次的技术研发提高在现在50%以上占有率的手机内存综合芯片市场的竞争力。半导体市场调查企业iSuppli预测称，世界内存卡市场对2GB以上的大容量产品需求将从今年3亿1000万件增至2012年的7亿7000万件。

闪存（NAND FLASH）=保持记忆芯片内的数据，无需电力。虽然没有DRAM反应灵敏，但是冲击强。主要用于MP3播放器、数码相机、手机和USB内存。

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